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大多數用於功率應用的 MOSFET 都是表面貼裝元件 (SMD)，例如 SO8FL、U8FL 和 LFPAK 封裝。之所以選擇這些 SMD 裝置，是因為它們具有良好的功率性能和較小的尺寸，有助於實現更緊湊的解決方案。儘管這些裝置具有良好的功率性能，但有時其散熱效果並不理想。

電路拓樸結構指的是電路中功率元件和電磁元件之間的連接方式，而磁性元件、閉迴路補償電路以及所有其他電路元件的設計都取決於電路拓樸結構。最基本的拓樸結構包括降壓型、升壓型和升降壓型轉換器，以及單端反激式（隔離式反激式）、正激式、推挽式、半橋式和全橋式轉換器。

SiC 可用於在高頻裝置的 SBD（蕭特基勢壘二極體）結構中獲得 600V 以上的高壓二極體（Si 的 SBD 的最高耐壓約為 200V）。